Фоточувствительность наноструктурированных барьеров Шоттки
Аu-оксид-n-GaAsв УФ-области спектра
Языева А.Б.
В области физики барьеров Шоттки«металл (М) – диэлектрик (Д) – полупроводник (П)», нанотехнологии, в частности наноструктурирование, используются для создания фотоприемников ультрафиолетового (УФ) излучения [1, 2].
Настоящая работа посвящена исследованию фоточувствительности (ФЧ) наноструктурированных диодов Шоттки в УФ-области спектра. В качестве исходного материала использовали пластинки (с концентрацией некомпенсированных доноров ) толщиной около 350 мкм. На одной поверхности создавался омический контакт (ОК) вплавлением сплава На другой поверхности сначала формировался нанооксидный слой (ОС) толщиной , затем создавался барьерный контакт (БК) полупрозрачного слоя Диэлектрическим (оксидным) слоем служил собственный оксид ()с . ОС, БК создавались химическим методом [2].
Конструктивная схема и спектр ФЧ структур проиллюстрированы на рисунке. Токовая ФЧ структур (рис. б, кривая 1) в максимуме спектра составляла Для выяснения влияния промежуточного ОС на коротковолновую () ФЧ был прведен сравнительный анализ спектров фототока структур (, кривая 2) и идеальных диодов
(, рис.б, кривая 1). В результате исследования ФЧ в УФ-области спектра впервые экспериментально установлено, что в структурахс коротковолновая ФЧ примерно в 1,5 раза выше, чем ФЧ в структурах с (рис. б). В созданных нами наноструктурах(рис. б, кривая 2) максимум ФЧ смещается в коротковолновую сторону. В интервале они имеют участок практически постоянной ФЧ (рис. б, кривая 2). На интервале с увеличением ФЧ уменьшается и при наблюдается минимум ФЧ. При с увеличением происходить рост ФЧ.
Таким образом, промежуточный нанооксидный слой () толщиной между полупроводником и металлом приводит к существенному увеличению коротковолновой фоточувствительности фотоприемников .
Литература
Мелебаев Д. Фотоприемники УФ излучения на основе наноструктур Au-окисел-n-GaР // Тр.Междунар.научн.-технич.конф. "Нанотехнологии функциональных материалов". – Россия, г.С.-Петербург. – 2010.- с.114-115.
Мелебаев Д. Фоточувствительность наноструктурированных диодов Шоттки Au-окисел-n-GaР в УФ области спектра// Тр. Российской конф. и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники "Фотоника-2011". – Россия, г.Новосибирск. – 2011. – с.111.
